Bipolartransistor KSC5026-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5026-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 30
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSC5026-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5026-R kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 30 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5026 liegt im Bereich von 10 bis 40, die des KSC5026-N im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5026-O im Bereich von 20 bis 40.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5026-R

Sie können den Transistor KSC5026-R durch einen 2SC3149, 2SC3149L, 2SC3150, 2SC3150-L, 2SC3456, 2SC3456-M, 2SC3457, 2SC3457-M, 2SC3751, 2SC3751-L, 2SC3752, 2SC3752-L, 2SC3866, 2SC5353, FJPF5027, FJPF5027-R, KSC5027, KSC5027-R, KSC5027F, KSC5027F-R oder MJE8503 ersetzen.
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