Bipolartransistor FJPF5027

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJPF5027

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular KSC5027 transistor

Pinbelegung des FJPF5027

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJPF5027 kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJPF5027-N liegt im Bereich von 10 bis 20, die des FJPF5027-O im Bereich von 20 bis 40, die des FJPF5027-R im Bereich von 15 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJPF5027

Sie können den Transistor FJPF5027 durch einen 2SC3150, 2SC3457, 2SC3752, 2SC3866, KSC5027, KSC5027F oder MJE8503 ersetzen.
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