Bipolartransistor KSC5026

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5026

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSC5026

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5026 kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5026-N liegt im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5026-O im Bereich von 20 bis 40, die des KSC5026-R im Bereich von 15 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5026

Sie können den Transistor KSC5026 durch einen 2SC3149, 2SC3150, 2SC3456, 2SC3457, 2SC3751, 2SC3752, 2SC3866, FJPF5027, KSC5027, KSC5027F oder MJE8503 ersetzen.
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