Bipolartransistor KSC5027

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5027

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSC5027

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5027 kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5027-N liegt im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5027-O im Bereich von 20 bis 40, die des KSC5027-R im Bereich von 15 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5027

Sie können den Transistor KSC5027 durch einen 2SC3150, 2SC3457, 2SC3752, 2SC3866, FJPF5027, KSC5027F oder MJE8503 ersetzen.
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