Bipolartransistor KSC5027F

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5027F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des KSC5027F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5027F kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5027F-N liegt im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5027F-O im Bereich von 20 bis 40, die des KSC5027F-R im Bereich von 15 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC5027F

Sie können den Transistor KSC5027F durch einen 2SC3150, 2SC3457, 2SC3752, 2SC3866, FJPF5027, KSC5027 oder MJE8503 ersetzen.
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