Bipolartransistor BSP50

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-223

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der BSP50-Transistor ist als "BSP50" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum BSP50 ist der BSP60.Sie können den Transistor BSP50 durch einen BSP51, BSP52, BSP52T1, BSP52T1G, BSP52T3 oder BSP52T3G ersetzen.