Bipolartransistor BSP52T1
Elektrische Eigenschaften des Transistors BSP52T1
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 1.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-223
Pinbelegung des BSP52T1
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BSP52T1
Bleifreie Version
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