Bipolartransistor BSP52T1

Elektrische Eigenschaften des Transistors BSP52T1

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BSP52T1

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BSP52T1-Transistor ist als "BSP52" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BSP52T1 ist der BSP62T1.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BSP52T1

Sie können den Transistor BSP52T1 durch einen BSP52, BSP52T1G, BSP52T3 oder BSP52T3G ersetzen.

Bleifreie Version

Der BSP52T1G-Transistor ist die bleifreie Version des BSP52T1.
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