Bipolartransistor BSP52T3G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BSP52T3G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223
  • Der BSP52T3G ist die bleifreie Version des BSP52T3-Transistors

Pinbelegung des BSP52T3G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BSP52T3G-Transistor ist als "BSP52G" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BSP52T3G ist der BSP62T3G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BSP52T3G

Sie können den Transistor BSP52T3G durch einen BSP52, BSP52T1, BSP52T1G oder BSP52T3 ersetzen.
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