Bipolartransistor BSP51

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-223

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der BSP51-Transistor ist als "BSP51" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum BSP51 ist der BSP61.Sie können den Transistor BSP51 durch einen BSP52, BSP52T1, BSP52T1G, BSP52T3 oder BSP52T3G ersetzen.