Bipolartransistor BSP52
Elektrische Eigenschaften des Transistors BSP52
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 1.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
- Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-223
Pinbelegung des BSP52
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BSP52
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com