Bipolartransistor BSP52T1G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-223
• Der BSP52T1G ist die bleifreie Version des BSP52T1-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der BSP52T1G-Transistor ist als "BSP52G" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum BSP52T1G ist der BSP62T1G.Sie können den Transistor BSP52T1G durch einen BSP52, BSP52T1, BSP52T3 oder BSP52T3G ersetzen.