Bipolartransistor BCP55-10

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 1.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 63 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-223

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BCP55-10 ist der BCP52-10.Sie können den Transistor BCP55-10 durch einen BCP55, BCP56, BCP56-10, BDP951, BDP953, BDP955 oder NZT44H8 ersetzen.