Bipolartransistor BC849W

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC849W

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC849W

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC849W kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC849AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC849BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC849CW im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC849W ist der BC859W.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC849W

Sie können den Transistor BC849W durch einen BC847W, BC848W oder BC850W ersetzen.
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