Elektrische Eigenschaften des Transistors BC337-25
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des BC337-25
Der BC337-25 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor BC337-25 kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC337 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BC337-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC337-40 im Bereich von 250 bis 630.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum BC337-25 ist der BC327-25.