Bipolartransistor BC337-25

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC337-25

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC337-25

Der BC337-25 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC337-25 kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC337 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BC337-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC337-40 im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC337-25 ist der BC327-25.

SMD-Version des Transistors BC337-25

Der 2SC3441 (SOT-23), 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23), BC817 (SOT-23), BC817-25 (SOT-23), BC817-25W (SOT-323), BC817W (SOT-323) und BCX19 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC337-25-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC337-25

Sie können den Transistor BC337-25 durch einen BC485, BC485B, BC487, BC487B, BC489 oder BC489B ersetzen.
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