Bipolartransistor BC485B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC485B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC485B

Der BC485B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC485B kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC485 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des BC485A im Bereich von 100 bis 250, die des BC485L im Bereich von 60 bis 150.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC485B ist der BC486B.

SMD-Version des Transistors BC485B

Der 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23), BC817 (SOT-23), BC817-25 (SOT-23), BC817-25W (SOT-323), BC817W (SOT-323) und BCX19 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC485B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC485B

Sie können den Transistor BC485B durch einen BC487, BC487B, BC489 oder BC489B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com