Bipolartransistor BC817-25W

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC817-25W

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323
  • Electrically Similar to the Popular BC337-25 transistor

Pinbelegung des BC817-25W

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC817-25W kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC817-16W liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC817-40W im Bereich von 250 bis 600, die des BC817W im Bereich von 100 bis 600.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC817-25W ist der BC807-25W.

Transistor BC817-25W im TO-92-Gehäuse

Der BC337-25 ist die TO-92-Version des BC817-25W.
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