Bipolartransistor BC487

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC487

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC487

Der BC487 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC487 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC487A liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC487B im Bereich von 160 bis 400, die des BC487L im Bereich von 60 bis 150.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC487 ist der BC488.

SMD-Version des Transistors BC487

Der FMMTA05 (SOT-23) und KST05 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC487-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC487

Sie können den Transistor BC487 durch einen BC489 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com