Bipolartransistor BC321C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC321C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.31 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Rauschzahl, max: 10 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC321C

Der BC321C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC321C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC321 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC321A im Bereich von 110 bis 220, die des BC321B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC321C ist der BC318C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC321C

Sie können den Transistor BC321C durch einen BC317, BC317C, BC318, BC318C, BC320, BC320C, KSP55, KTC9015, MPS6535, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, MPSW55, MPSW55G oder ZTX790A ersetzen.
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