Bipolartransistor BC321

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC321

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.31 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Rauschzahl, max: 10 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC321

Der BC321 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC321 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC321A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC321B im Bereich von 200 bis 450, die des BC321C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC321 ist der BC318.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC321

Sie können den Transistor BC321 durch einen BC317, BC318, BC320, KSP55, KTC9015, MPS6535, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, MPSW55 oder MPSW55G ersetzen.
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