Bipolartransistor 2SC1210

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1210

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC1210

Der 2SC1210 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1210 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1210-C liegt im Bereich von 55 bis 110, die des 2SC1210-D im Bereich von 90 bis 180, die des 2SC1210-E im Bereich von 150 bis 300.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1210-Transistor könnte nur mit "C1210" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1210 ist der 2SA696.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1210

Sie können den Transistor 2SC1210 durch einen 2SC1008, 2SC1211, BC537, BC538, KSC1008, KSP05 oder KSP06 ersetzen.
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