Bipolartransistor 2SD227G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD227G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SD227G

Der 2SD227G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD227G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD227 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SD227O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD227Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD227G-Transistor könnte nur mit "D227G" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD227G ist der 2SA642G.

SMD-Version des Transistors 2SD227G

Der MMBT4124 (SOT-23) und MMST4124 (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SD227G-Transistors.

Transistor 2SD227G im TO-92-Gehäuse

Der KSD227G ist die TO-92-Version des 2SD227G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD227G

Sie können den Transistor 2SD227G durch einen 2N5172, 2SD471A, 2SD471AG, KSD227, KSD227G, KSD471A, KSD471AG, MPS3415, MPS3417, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE192, PN100 oder ZTX690B ersetzen.
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