Bipolartransistor KSD227G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD227G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD227G transistor

Pinbelegung des KSD227G

Der KSD227G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD227G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD227 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSD227O im Bereich von 70 bis 140, die des KSD227Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD227G ist der KSA642G.

SMD-Version des Transistors KSD227G

Der MMBT4124 (SOT-23) und MMST4124 (SOT-323) ist die SMD-Version des KSD227G-Transistors.

Transistor KSD227G im TO-92-Gehäuse

Der 2SD227G ist die TO-92-Version des KSD227G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD227G

Sie können den Transistor KSD227G durch einen 2N5172, 2SD227, 2SD227G, 2SD471A, 2SD471AG, KSD471A, KSD471AG, MPS3415, MPS3417, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE192, PN100 oder ZTX690B ersetzen.
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