Bipolartransistor 2SD1313

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1313

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 800 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15
  • Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD1313

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1313-Transistor könnte nur mit "D1313" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1313

Sie können den Transistor 2SD1313 durch einen 2SC3988, 2SC3988-L, 2SC3988-M, 2SC3988-N, 2SC3989, 2SC3989-L, 2SC3989-M, 2SC3989-N, 2SC3990, 2SC3990-L, 2SC3990-M, 2SC3990-N, 2SC3991, 2SC3991-L, 2SC3991-M, 2SC3991-N, 2SC4110, 2SC4110-L, 2SC4110-M oder 2SC4110-N ersetzen.
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