Bipolartransistor 2SB1068

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -16 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -20 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 135 bis 650
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SB1068 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1068 kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 650 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1068-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1068-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SB1068-U im Bereich von 300 bis 650.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1068-Transistor könnte nur mit "B1068" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1068 ist der 2SD1513.