Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1032A-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 60 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 90
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SD1032A-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1032A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1032A liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SD1032A-P im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD1032A-Q im Bereich von 70 bis 150.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1032A-R-Transistor könnte nur mit "D1032A-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1032A-R ist der 2SB812A-R.
SMD-Version des Transistors 2SD1032A-R
Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1032A-R-Transistors.
