Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3417-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 7 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SC3417-E
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC3417-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3417 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SC3417-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC3417-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SC3417-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3417-E-Transistor könnte nur mit "C3417-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3417-E ist der 2SA1353-E.
SMD-Version des Transistors 2SC3417-E
Der BF620 (SOT-89), BF820 (SOT-23) und PMBTA42 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC3417-E-Transistors.
