Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2002-M
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
Verlustleistung, max: 0.6 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2002-M
Der 2SC2002-M wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2002-M kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2002 liegt im Bereich von 90 bis 400, die des 2SC2002-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC2002-L im Bereich von 135 bis 270.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2002-M-Transistor könnte nur mit "C2002-M" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2002-M ist der 2SA952-M.
