Bipolartransistor KTC1027-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC1027-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des KTC1027-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC1027-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC1027 liegt im Bereich von 80 bis 240, die des KTC1027-Y im Bereich von 80 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC1027-O ist der KTA1023-O.

SMD-Version des Transistors KTC1027-O

Der 2SC2881 (SOT-89) und KTC4373 (SOT-89) ist die SMD-Version des KTC1027-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC1027-O

Sie können den Transistor KTC1027-O durch einen 2SC2235, 2SC2383, 2SC3228, KSC2316, KSC2383 oder KTC3228 ersetzen.
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