Bipolartransistor KSC2316

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC2316

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC2316

Der KSC2316 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC2316 kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC2316O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des KSC2316Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC2316 ist der KSA916.

SMD-Version des Transistors KSC2316

Der 2SC2881 (SOT-89) und KTC4373 (SOT-89) ist die SMD-Version des KSC2316-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC2316

Sie können den Transistor KSC2316 durch einen 2SC2235, 2SC2383, 2SC3228, KSC2383, KTC1027, KTC1027-O, KTC1027-Y oder KTC3228 ersetzen.
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