Bipolartransistor 2SC1627

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1627

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC1627

Der 2SC1627 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1627 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1627-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC1627-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1627-Transistor könnte nur mit "C1627" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1627 ist der 2SA817.

SMD-Version des Transistors 2SC1627

Der 2SC4209 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1627-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1627

Sie können den Transistor 2SC1627 durch einen 2SC1627A, 2SC2274K, 2SC2383, 2SC3228, 2SC3244, 2SC3328, 2SD438, 2SD667, KSC1009C, KSC2383, KTC3227 oder KTC3228 ersetzen.
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