Bipolartransistor 2SC1079-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1079-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SC1079-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1079-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1079 liegt im Bereich von 40 bis 140, die des 2SC1079-Y im Bereich von 70 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1079-R-Transistor könnte nur mit "C1079-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1079-R ist der 2SA679-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1079-R

Sie können den Transistor 2SC1079-R durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5630, 2N5672, 2N6339, 2N6339G, 2N6340, 2N6340G, 2N6341, 2N6341G, 2SC2428, 2SC2431, 2SC2433, 2SD424, 2SD424-R, 2SD425, 2SD425-R, 2SD426, 2SD426-R, 2SD552, 2SD552-R, 2SD733, 2SD733-C, 2SD733K, 2SD733K-C, 2SD753, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 oder MJ15003G ersetzen.
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