Bipolartransistor 2SD552

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD552

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 220 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD552

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD552 kann eine Gleichstromverstärkung von 25 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD552-DN liegt im Bereich von 25 bis 50, die des 2SD552-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD552-Transistor könnte nur mit "D552" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD552 ist der 2SB552.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD552

Sie können den Transistor 2SD552 durch einen 2N6676 oder 2N6677 ersetzen.
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