Bipolartransistor MJ15001G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ15001G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
- Der MJ15001G ist die bleifreie Version des MJ15001-Transistors
Pinbelegung des MJ15001G
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ15001G
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