Bipolartransistor MJ15001G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ15001G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ15001G ist die bleifreie Version des MJ15001-Transistors

Pinbelegung des MJ15001G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ15001G ist der MJ15002G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ15001G

Sie können den Transistor MJ15001G durch einen MJ15001, MJ15003 oder MJ15003G ersetzen.
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