Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB947A-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB947A-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB947A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB947A liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB947A-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SB947A-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB947A-P-Transistor könnte nur mit "B947A-P" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SB947A-P
Der 2STF2550 (SOT-89) und 2STN2550 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB947A-P-Transistors.
