Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB906-Y
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-252
Pinbelegung des 2SB906-Y
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB906-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB906 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB906-O im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB906-Y-Transistor könnte nur mit "B906-Y" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB906-Y ist der 2SD1221-Y.
SMD-Version des Transistors 2SB906-Y
Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB906-Y-Transistors.
