Bipolartransistor 2SB812A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB812A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 150
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB812A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB812A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB812A liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SB812A-P im Bereich von 120 bis 250, die des 2SB812A-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB812A-Q-Transistor könnte nur mit "B812A-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB812A-Q ist der 2SD1032A-Q.

SMD-Version des Transistors 2SB812A-Q

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB812A-Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB812A-Q

Sie können den Transistor 2SB812A-Q durch einen 2SA1093, 2SA1102, 2SA1103, 2SA1104, 2SA1105, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1186, 2SA1263, 2SA1263-O, 2SA1264, 2SA1264-O, 2SA1264N, 2SA1264N-O, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1301, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1489, 2SA1490, 2SA1491, 2SA1633, 2SA1693, 2SA1694, 2SA1695, 2SA1788, 2SA1803, 2SA1804, 2SA1805, 2SA1939, 2SA1940, 2SA1941, 2SA1942, 2SA2062, 2SA2063, 2SB1162, 2SB1361, 2SB1362, 2SB686, 2SB688, 2SB695, 2SB753, 2SB775, 2SB778, 2SB816, 2SB817, 2SB863, 2SB965, 2SB966, BD246B, BD246C, BD250B, BD250C, BD746B, BD746C, BDV94, BDV96, FJA4210, KTB688, KTB688B, KTB778, KTB817, KTB817B oder TIP36CA ersetzen.
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