Bipolartransistor BD250C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD250C

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -115 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -25 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD250C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD250C ist der BD249C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD250C

Sie können den Transistor BD250C durch einen 2SB1231, 2SB1231-P, 2SB1231-Q, 2SB1232, 2SB1232-P oder 2SB1232-Q ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-126 package, BD435: 36 watts
TO-126 package, BD435G: 36 watts
TO-126 package, BD438: 36 watts
TO-126 package, BD438G: 36 watts
TO-126 package, BD441: 36 watts

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