Bipolartransistor BD250B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD250B

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -25 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD250B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD250B ist der BD249B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD250B

Sie können den Transistor BD250B durch einen 2SB1231, 2SB1231-P, 2SB1231-Q, 2SB1232, 2SB1232-P, 2SB1232-Q oder BD250C ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-220 package, BD244B: 65 watts
TO-3P package, BD245A: 80 watts
TO-3P package, BD246: 80 watts
TO-3P package, BD246C: 80 watts
TO-3P package, BD249A: 125 watts

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