Bipolartransistor 2SB716A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB716A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SB716A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB716A kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB716A-D liegt im Bereich von 250 bis 500.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB716A-Transistor könnte nur mit "B716A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB716A ist der 2SD756A.

SMD-Version des Transistors 2SB716A

Der FJV992 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB716A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB716A

Sie können den Transistor 2SB716A durch einen 2SA1016K, 2SA1049, 2SA1082, 2SA1082-D, 2SA1085, 2SA1085-D, 2SA1269, 2SA1285, 2SA1285-F, 2SA1285A, 2SA1285A-F, 2SA1376, 2SA872A, 2SA872A-D, 2SA970, 2SA992, 2SB716, 2SB716-D oder KSA992 ersetzen.
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