Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1085-D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 500
Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1085-D
Der 2SA1085-D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1085-D kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1085 liegt im Bereich von 250 bis 800, die des 2SA1085-E im Bereich von 400 bis 800.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1085-D-Transistor könnte nur mit "A1085-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1085-D ist der 2SC2547-D.
SMD-Version des Transistors 2SA1085-D
Der 2SA1163 (SOT-23), 2SA1312 (SOT-23), 2SA1587 (SOT-323), FJV992 (SOT-23) und FJX992 (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SA1085-D-Transistors.
