Bipolartransistor 2SB559-E

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -18 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -20 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.2 A
• Verlustleistung, max: 8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB559-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB559 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB559-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB559-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB559-E-Transistor könnte nur mit "B559-E" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB559-E ist der 2SD439-E.Der BCX69 (SOT-89) und BCX69-16 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB559-E-Transistors.Sie können den Transistor 2SB559-E durch einen 2SA1120, 2SA1357, 2SA1357-O, 2SA715, 2SA715-C, 2SA738, 2SB1009, 2SB1127, 2SB1127-R, 2SB1140, 2SB1140-R, 2SB1141, 2SB1141-R, 2SB743, 2SB743-Q, 2SB772, 2SB772O, 2SB772Q, BD186, KSB772, KSB772-O, KSH772, KSH772-O, KTA1705, KTB772, KTB772-O oder MJE370 ersetzen.