Bipolartransistor 2SA715

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA715

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA715

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA715 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA715-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA715-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA715-D im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA715-Transistor könnte nur mit "A715" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA715 ist der 2SC1162.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA715

Sie können den Transistor 2SA715 durch einen 2SB744, 2SB744A, BD132, BD188, BD190, KSB744, KSB744A, MJE232 oder MJE235 ersetzen.
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