Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB557-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SB557-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB557-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB557 liegt im Bereich von 40 bis 140, die des 2SB557-R im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB557-O-Transistor könnte nur mit "B557-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB557-O ist der 2SD427-O.
