Bipolartransistor 2SB557

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB557

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SB557

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB557 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB557-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB557-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB557-Transistor könnte nur mit "B557" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB557 ist der 2SD427.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB557

Sie können den Transistor 2SB557 durch einen 2SA1007, 2SA1007A, 2SA1041, 2SA1043, 2SA679, 2SA745A, 2SA747, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB555, 2SB556, 2SB600, 2SB696, 2SB697, 2SB697K, 2SB705, 2SB705A, 2SB705B, 2SB706, 2SB706A, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 oder MJ15004G ersetzen.
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