Bipolartransistor 2SB1185F

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1185F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1185F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1185F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1185 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB1185D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1185E im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1185F-Transistor könnte nur mit "B1185F" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1185F ist der 2SD1762F.

SMD-Version des Transistors 2SB1185F

Der 2SB1123 (SOT-89), 2SB1124 (SOT-89), 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) und BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1185F-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1185F

Sie können den Transistor 2SB1185F durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1634-F, 2SA1635, 2SA1635-F, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1187-F, 2SB1375, 2SB1565, 2SB1565-F, 2SB1566, 2SB1566-F, 2SB507, 2SB507F, 2SB633, 2SB633-F, 2SB857, 2SB857-D, 2SB858, 2SB858-D, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSB1366 oder KSB1366-G ersetzen.
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