Bipolartransistor 2SB1163-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1163-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB1163-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1163-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1163 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1163-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1163-S im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1163-Q-Transistor könnte nur mit "B1163-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1163-Q ist der 2SD1718-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1163-Q

Sie können den Transistor 2SB1163-Q durch einen 2SA1294, 2SA1302, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB1429, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, MAG9413, MJW1302A, MJW1302AG oder NTE2329 ersetzen.
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