Bipolartransistor 2SA970-GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA970-GR

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA970-GR

Der 2SA970-GR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA970-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA970 liegt im Bereich von 200 bis 700, die des 2SA970-BL im Bereich von 350 bis 700.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA970-GR-Transistor könnte nur mit "A970-GR" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SA970-GR

Der 2SA1163 (SOT-23), 2SA1163-GR (SOT-23), 2SA1312 (SOT-23), 2SA1312-GR (SOT-23), 2SA1587 (SOT-323), 2SA1587-GR (SOT-323), FJV992 (SOT-23), FJV992-P (SOT-23) und FJX992 (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SA970-GR-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA970-GR

Sie können den Transistor 2SA970-GR durch einen 2SA1049, 2SA1049-GR, 2SA1269, 2SA1269-GR, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1319, 2SA1319-T, 2SA1376, 2SA1376-K, 2SA1376A, 2SA1376A-K, KSA709C oder KSA709CG ersetzen.
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