Bipolartransistor 2SA1319-T

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.7 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1319-T wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1319-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1319 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SA1319-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1319-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1319-T-Transistor könnte nur mit "A1319-T" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1319-T ist der 2SC3332-T.Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1319-T-Transistors.