Bipolartransistor 2SA1312-GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1312-GR

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 0.5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA1312-GR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1312-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1312 liegt im Bereich von 200 bis 700, die des 2SA1312-BL im Bereich von 350 bis 700.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1312-GR-Transistor könnte nur mit "A1312-GR" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1312-GR ist der 2SC3324-GR.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1312-GR

Sie können den Transistor 2SA1312-GR durch einen 2SA1163, 2SA1163-GR, KST93 oder PBHV9115T ersetzen.
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