Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA966-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SA966-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA966-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA966 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des 2SA966-Y im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA966-O-Transistor könnte nur mit "A966-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA966-O ist der 2SC2236-O.